SiO<sub>2</sub>/Ta界面反應及其對Cu擴散的影響

<listing id="b1vrb"><cite id="b1vrb"></cite></listing>

<var id="b1vrb"></var>

<var id="b1vrb"></var>

<var id="b1vrb"><video id="b1vrb"><thead id="b1vrb"></thead></video></var>

<var id="b1vrb"><strike id="b1vrb"><listing id="b1vrb"></listing></strike></var>

<cite id="b1vrb"></cite>

<thead id="b1vrb"></thead><menuitem id="b1vrb"></menuitem>

<var id="b1vrb"></var>

<cite id="b1vrb"><strike id="b1vrb"><listing id="b1vrb"></listing></strike></cite>

留言板

尊敬的讀者、作者、審稿人, 關于本刊的投稿、審稿、編輯和出版的任何問題, 您可以本頁添加留言。我們將盡快給您答復。謝謝您的支持!

姓名
郵箱
手機號碼
標題
留言內容
驗證碼

SiO₂/Ta界面反應及其對Cu擴散的影響

龍世兵, 馬紀東, 于廣華, 趙洪辰, 朱逢吾, 張國海, 夏洋

文章導航 > 工程科學學報 > 2003 > 25(1): 33-35

龍世兵, 馬紀東, 于廣華, 趙洪辰, 朱逢吾, 張國海, 夏洋. SiO2/Ta界面反應及其對Cu擴散的影響[J]. 工程科學學報, 2003, 25(1): 33-35. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2003.01.010

引用本文:

龍世兵, 馬紀東, 于廣華, 趙洪辰, 朱逢吾, 張國海, 夏洋. SiO₂/Ta界面反應及其對Cu擴散的影響[J]. 工程科學學報, 2003, 25(1): 33-35. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2003.01.010

LONG Shibing, MA Jidong, YU Guanghua, ZHAO Hongchen, ZHU Fengwu, ZHANG Guohai, XIA Yang. Reaction of the SiO2/Ta Interface and its Influence on Cu Diffusion[J]. Chinese Journal of Engineering, 2003, 25(1): 33-35. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2003.01.010

Citation:

LONG Shibing, MA Jidong, YU Guanghua, ZHAO Hongchen, ZHU Fengwu, ZHANG Guohai, XIA Yang. Reaction of the SiO₂/Ta Interface and its Influence on Cu Diffusion[J]. Chinese Journal of Engineering, 2003, 25(1): 33-35. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2003.01.010

龍世兵, 馬紀東, 于廣華, 趙洪辰, 朱逢吾, 張國海, 夏洋. SiO2/Ta界面反應及其對Cu擴散的影響[J]. 工程科學學報, 2003, 25(1): 33-35. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2003.01.010

引用本文:

龍世兵, 馬紀東, 于廣華, 趙洪辰, 朱逢吾, 張國海, 夏洋. SiO₂/Ta界面反應及其對Cu擴散的影響[J]. 工程科學學報, 2003, 25(1): 33-35. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2003.01.010

LONG Shibing, MA Jidong, YU Guanghua, ZHAO Hongchen, ZHU Fengwu, ZHANG Guohai, XIA Yang. Reaction of the SiO2/Ta Interface and its Influence on Cu Diffusion[J]. Chinese Journal of Engineering, 2003, 25(1): 33-35. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2003.01.010

Citation:

LONG Shibing, MA Jidong, YU Guanghua, ZHAO Hongchen, ZHU Fengwu, ZHANG Guohai, XIA Yang. Reaction of the SiO₂/Ta Interface and its Influence on Cu Diffusion[J]. Chinese Journal of Engineering, 2003, 25(1): 33-35. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2003.01.010

SiO₂/Ta界面反應及其對Cu擴散的影響

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2003.01.010

1. 北京科技大學材料物理系, 北京 100083;
2. 中國科學院微電子中心, 北京 100029

基金項目:

國家自然科學基金資助項目(No.19890310)

作者簡介:
龍世兵男,25歲,碩士生

中圖分類號: TB383
計量
- 文章訪問數: 137
- HTML全文瀏覽量: 24
- PDF下載量: 7
- 被引次數: 0
出版歷程
- 收稿日期: 2002-01-03
- 網絡出版日期: 2021-08-17

Reaction of the SiO₂/Ta Interface and its Influence on Cu Diffusion

1. Department of Materials Physics, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China;
2. Microelectronic Research & Development Center, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China

摘要: 利用磁控濺射方法在表面有SiO₂層的Si基片上濺射Ta薄膜,采用X射線光電子能譜研究了SiO₂/Ta界面以及Ta₅Si₃標準樣品,并進行計算機譜圖擬合分析.實驗結果表明在制備態下在SiO₂/Ta界面處有更穩定的化合物新相Ta₅Si₃和Ta₂O₅生成.在采用Ta作阻擋層的ULSI銅互連結構中這些反應產物可能有利于對Cu擴散的阻擋.
- Cu互連 /
- 擴散阻擋層 /
- 界面反應 /
- X射線光電子能譜
Abstract: Ta films were deposited on Si substrates precoated with SiO₂ by magnetron sputtering. The SiO₂/Ta interface and the Ta₅Si₃ standard sample were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique. The results show that there is a thermodynamically favorable reaction at the SiO₂/Ta interface. The more stable products Ta₅Si₃ and Ta₂O₅ may be beneficial to stop the diffusion of Cu into SiO₂.
- copper interconnection /
- diffusion barrier /
- interface reaction /
- X-ray photoelectron spectroscopy

參考文獻(0)

資源附件(0)

WeChat

點擊查看大圖

計量

文章訪問數: 137
HTML全文瀏覽量: 24
PDF下載量: 7
被引次數: 0

/

下載: 全尺寸圖片幻燈片

分享

用微信掃碼二維碼

分享至好友和朋友圈

返回

青青草原综合久久大伊人精品